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采用NVM矩阵电路以执行矩阵计算的非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路

摘要

公开了非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路,其采用NVM电路以用于执行矩阵计算。在本文公开的示例性方面中,提供了一种NVM矩阵电路,其具有多个NVM存储串电路,多个NVM存储串电路各自包括多个NVM位单元电路,多个NVM位单元电路各自被配置为存储存储器状态。每个NVM位单元电路具有由电阻表示的所存储的存储器状态并且包括晶体管,该晶体管的栅极节点耦合到多个字线中的字线,多个字线被配置为例如接收1×m大小的输入矢量。给定NVM位单元电路的栅极的激活控制其电阻是否对相应的源极线起作用。这使得基于每个NVM位单元电路的电阻对其相应的源极线的加权的和贡献,来在每个源极线上生成和电流。

著录项

  • 公开/公告号CN110892480A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201880046080.0

  • 发明设计人 李夏;杨斌;陶耿名;

    申请日2018-06-22

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 07:08:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/54 申请日:20180622

    实质审查的生效

  • 2020-03-17

    公开

    公开

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