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用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路

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公开了用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路。MLC NVM矩阵电路包括多个NVM存储串电路，每个NVM存储串电路包括多个MLC NVM存储电路，每个MLC NVM存储电路包括多个NVM位单元电路，每个NVM位单元电路被配置为存储1位存储器状态。因此，每个MLC NVM存储电路根据其相应NVM位单元电路的存储器状态来存储多位存储器状态。每个NVM位单元电路包括晶体管，该晶体管的栅极节点被耦合到被配置为接收输入矢量的多个字线中的字线。MLC NVM存储电路中的给定NVM位单元电路的栅极节点的激活控制其电阻是否对耦合到相应源极线的MLC NVM存储电路的总电阻做出贡献。

著录项

公开/公告号CN110914906A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-24

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201880045785.0
发明设计人李夏;康相赫;W-C·陈;
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申请日2018-06-22
分类号G11C11/54(20060101);G11C5/02(20060101);G11C5/06(20060101);G11C7/10(20060101);G11C7/18(20060101);G11C8/14(20060101);G11C16/04(20060101);G06N3/063(20060101);H03K19/177(20200101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;傅远
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 08:13:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-17

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/54 申请日:20180622

实质审查的生效
2020-03-24

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