生物场效应晶体管传感器的差动式感测

摘要

本发明实施例涉及生物场效应晶体管传感器的差动式感测、生物场效应晶体管传感器的制造方法及其感测方法。本揭露提供一种传感器阵列，其包含半导体衬底、第一多个FET传感器及第二多个FET传感器。所述FET传感器的各者包含：沟道区，其位于所述半导体衬底中的源极区与漏极区之间且位于放置于所述沟道区的第一侧上的栅极结构下方；及介电质层，其经放置于与所述沟道区的所述第一侧相对的所述沟道区的第二侧上。第一多个捕获试剂在所述第一多个FET传感器的所述沟道区上方耦合到所述介电质层，且第二多个捕获试剂在所述第二多个FET传感器的所述沟道区上方耦合到所述介电质层。