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半导体结构及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法,所述半导体结构包括:第一基底,所述第一基底具有非感应面,所述第一基底包括图像传感区和微机电系统区,所述图像传感区内具有图像传感器,所述微机电系统区内具有微机电系统器件;与所述第一基底键合的第二基底,所述非感应面朝向所述第二基底,所述第二基底包括存储区,所述存储区在所述第一基底表面具有第一投影,所述图像传感区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内,且所述微机电系统区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内。所述半导体结构能够增加单个芯片功能、减少芯片的占用面积、提高芯片的集成度并且降低芯片的成本。

著录项

  • 公开/公告号CN110707115A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910973559.5

  • 发明设计人 余兴;蒋维楠;

    申请日2019-10-14

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐文欣

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室

  • 入库时间 2023-12-17 07:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20191014

    实质审查的生效

  • 2020-01-17

    公开

    公开

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