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应用于压接型MOSFET的栅极结构

摘要

一种应用于压接型MOSFET的栅极结构,包括第一铜块,压接型MOSFET,栅极连接件,接收外部栅极控制信号的连接接口,第二铜块,与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属,用于所述棒状金属与所述栅极连接件连接的弹性结构,所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质。使用对MOSFET散热路径无阻隔作用的上述栅极结构,能够提升散热能力,同时简化压装结构。

著录项

  • 公开/公告号CN110767638A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201810829499.5

  • 申请日2018-07-25

  • 分类号

  • 代理机构北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王冲

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2023-12-17 07:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/07 申请日:20180725

    实质审查的生效

  • 2020-02-07

    公开

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