法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/07 申请日:20180725
实质审查的生效
2020-02-07
公开
公开
机译: 包含各种改进结构(包括MOSFET栅极和JFET栅极结构)的辐射增强型双栅极半导体晶体管器件及相关方法
机译: 压接触型半导体器件栅极截止晶闸管,在外部压接电极结构和盖之间具有垫片,其变形力小于将盖从基板上剥离所需的力
机译: 用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。