一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法

摘要

一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，设计出写半选择故障测试元素：{⇕W0⇕W1column0⇕R1column0⇕R0column0'⇕W0⇕W1column1⇕R1column1⇕R0column0'}，其中{W1column0}和{W1column1}利用自定义行读写方式，即一种对指定范围的行地址进行有序的读写操作方式，将数据背景写入列地址相同、行地址顺序增加的存储单元，激活敏化出故障，随后进行读操作，将读出数据与期望数据比较，不一致则判断检测出故障。该方法能够弥补传统算法无法覆盖写半选择故障的问题，实现指定故障模型的覆盖，且有效地降低了测试成本。