用于改善半导体器件NBTI的方法和结构

摘要

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种用于改善半导体应变器件NBTI的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于基底上的器件；在器件上沉积氧化薄膜层；在氧化薄膜层上沉积分子塞薄膜结构，分子塞薄膜结构包括至少一层分子塞薄膜；在分子塞薄膜结构上沉积应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大应力薄膜对器件施加的应力。结构包括：基底以及形成于基底上的器件；形成于器件上的氧化薄膜层；形成于氧化薄膜层上的分子塞薄膜结构，分子塞薄膜结构包括至少一层分子塞薄膜；形成于分子塞薄膜结构上的应力薄膜。通过在氧化薄膜层和应力薄膜之间沉积分子塞薄膜结构，可以解决相关技术中半导体器件的出现负偏压温度不稳定性的问题。