Tin; Negative bias temperature instability; Thermal variables control; Gallium arsenide; Logic gates; Reliability; FinFETs;
机译:硅钝化Ge /高κ/金属栅pFET的NBTI可靠性的提高
机译:利用$ hbox {HfO} _ {2} $栅极电介质通过多沉积室温多退火工艺制造的MOSFET的器件性能和可靠性提高
机译:高温氮化后TaSiN / HfSiON栅堆叠的正偏置温度不稳定性和器件性能的改善
机译:Si-钝化的应变GE PFINFET的高压退火的性能和静电改善,具有优越的NBTI可靠性
机译:寻求提高光盘数据存储设备的可靠性
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:NBTI对FinFET sRam影响的统计可靠性分析及使用独立门器件的缓解技术
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。