公开/公告号CN110673712A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-10
原文格式PDF
申请/专利权人 上海灵动微电子股份有限公司;
申请/专利号CN201910905121.3
发明设计人 唐成伟;
申请日2019-09-24
分类号G06F1/26(20060101);
代理机构31251 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘秋香
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江镇科苑路399号10幢2层2-1
入库时间 2023-12-17 06:26:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F1/26 申请日:20190924
实质审查的生效
2020-01-10
公开
公开
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 装置,用于初始化将在第一集成电路和第二集成电路之间共享的安全密钥的方法,集成电路,在集成电路上运行的计算机程序以及适于执行装置电源管理的电源管理芯片
机译: 一种用于测试具有至少两个电路核心的集成电路芯片的方法以及集成电路芯片和测试系统