法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/52 申请日:20191017
实质审查的生效
2020-01-14
公开
公开
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列
机译: 一种具有高压维持区域的高压功率MOSFET的制造方法,该区域包括由快速扩散形成的掺杂列