一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：(1)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源进行沉积，得到沉积有Nb源的衬底，所述Nb源为Nb(OCH2CH3)5；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将硫醇作为硫源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Nb源进行反应，得到纳米NbSx薄膜；(4)向体系中充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的NbSx薄膜。本发明可以在衬底上沉积形成保型性较好的含NbSx沉积层。