一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法，属于纳米材料领域。本发明方法包括以下步骤：(1)将衬底置于反应腔中，真空条件下以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源进行沉积；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Nb源进行单原子反应，得到单原子层的NbxC薄膜，所述碳源为葡萄糖、果糖、呋喃糠醛的一种；(4)再充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的NbxC薄膜。本发明采用了乙氧醇铌为的Nb源与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含NbxC沉积层。