通过脉冲等离子体辅助沉积将无硅含碳膜沉积为间隙填充层的方法

摘要

本公开涉及通过脉冲等离子体辅助沉积将无硅含碳膜沉积为间隙填充层的方法。本公开提供了一种在衬底的表面上填充图案化凹部的方法，包括：在反应空间中提供包括凹部的衬底；向所述反应空间提供无硅含碳前体，从而用气相前体填充所述凹部；以及向所述反应空间提供等离子体，从而在所述凹部中形成粘性材料，其中所述粘性材料在所述凹部中流动且在所述凹部的底部积聚，从而在所述凹部的所述底部形成沉积材料，且其中所述沉积材料凝固。通过使用烃前体的等离子体辅助沉积提供完全间隙填充，在不需要氮、氧或氢等离子体的条件下基本上不形成空隙，解决了现有技术中的一个或多个问题。