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包括贯穿布线区域的半导体器件

摘要

提供了一种包括贯穿布线区域的半导体器件,所述半导体器件包括设置在第一衬底上并且包括电路器件的外围电路区域。存储单元区域设置在第二衬底上并且包括存储单元。贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和绝缘区域。所述贯穿接触插塞延伸穿过所述存储单元区域和所述第二衬底,并且将所述存储单元区域连接到所述电路器件。所述绝缘区域围绕所述贯穿接触插塞。所述绝缘区域包括穿透所述第二衬底的第一绝缘层、多个第二绝缘层以及具有竖直延伸部分和多个水平延伸部分的第三绝缘层,所述多个水平延伸部分平行于所述第二衬底的顶表面从所述竖直延伸部分的侧表面延伸以接触所述第二绝缘层。

著录项

  • 公开/公告号CN110808248A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201910669049.9

  • 发明设计人 白石千;

    申请日2019-07-24

  • 分类号

  • 代理机构北京市立方律师事务所;

  • 代理人李娜

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 05:31:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-18

    公开

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