碳纳米管场发射电子源的限流保护结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种碳纳米管场发射电子源的限流保护结构，包括竖直方向上间隔一预设距离设置的阳极以及阴极基板，所述阳极位于阴极基板的上部；所述阴极基板的上表面由下至上依次连接有柱状半导体限流结构、顶层电极以及垂直排列独立碳纳米管发射体，所述柱状半导体限流结构和顶层电极的截面积相同。本发明的主要目的是通过使用半导体限流技术提高碳纳米管场发射阴极的使用寿命和可靠性。使得碳纳米管场发射阴极可以满足医用影像设备及军用雷达对高密度电子源阵列的性能和使用寿命的要求，以进一步推动X射线阵列和微波阵列的发展。