公开/公告号CN104347795A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201310338251.6
申请日2013-08-05
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2023-12-17 04:27:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-07
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L43/08 申请公布日:20150211 申请日:20130805
发明专利申请公布后的驳回
2015-03-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20130805
实质审查的生效
2015-02-11
公开
公开
机译: 磁隧道结的磁电极的形成方法和磁隧道结的形成方法
机译: 基于纳米级金属-绝缘体-金属隧道结的磁性隧道结的形成方法以及磁磁阻随机存取存储器的结构(可选)
机译: 基于纳米级金属-绝缘体-金属的磁性隧道结的形成方法和磁性隧道结磁阻的结构用于磁性随机存取存储器(可选)