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一种单晶硅太阳能离子注入工艺

摘要

本文介绍了一种单晶硅太阳能电池的制作方法。该方法包括利用离子注入的方法在p型硅片衬底上形成n型掺杂层,注入后硅片通过单次高温退火工艺实现掺杂原子的激活,并推进形成一定结深的p-n结,退火过程中通入氧气以在硅片表面形成二氧化硅钝化层。正面和背面接触的烧结过程在高温烧结炉中一次烧结形成。

著录项

  • 公开/公告号CN104300032A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京中科信电子装备有限公司;

    申请/专利号CN201310304599.3

  • 发明设计人 李士会;

    申请日2013-07-18

  • 分类号H01L31/18;H01L21/265;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 101111 北京市通州区光机电一体化产业基地兴光二街6号

  • 入库时间 2023-12-17 04:19:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20150121 申请日:20130718

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-06-08

    文件的公告送达 IPC(主分类):H01L31/18 收件人:北京中科信电子装备有限公司 文件名称:实审请求期限届满前通知书 申请日:20130718

    文件的公告送达

  • 2015-01-21

    公开

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