法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-15
授权
授权
2015-05-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20130926
实质审查的生效
2015-04-15
公开
公开
机译: 绝缘体上半导体晶体管,使用存储器内绝缘体的晶体管的电路,形成绝缘体上半导体绝缘体的方法,以及形成使用了电路的导电性绝缘体的半导体的方法
机译: 绝缘体上半导体晶体管,使用存储器内绝缘体的晶体管的电路,形成绝缘体上半导体绝缘体的方法,以及形成使用了电路的导电性绝缘体的半导体的方法
机译: 绝缘体上半导体器件的制造方法,该绝缘体上半导体器件包括在绝缘层上交替的薄膜和厚膜半导体区域