法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-31
授权
授权
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20161229
实质审查的生效
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20161229
实质审查的生效
2017-03-22
公开
公开
2017-03-22
公开
公开
机译: 具有用于增强的静电放电保护的主体到衬底连接的绝缘体上半导体器件结构以及用于这种绝缘体上半导体器件结构的设计结构
机译: 绝缘体上半导体结构的制造方法以及具有绝缘体上半导体结构的半导体器件
机译: 具有用于增强静电放电保护的主体至基板连接的绝缘体上半导体装置结构以及这种绝缘体上半导体装置结构的设计结构