机译:绝缘体上半导体晶体管,使用存储器内绝缘体的晶体管的电路,形成绝缘体上半导体绝缘体的方法,以及形成使用了电路的导电性绝缘体的半导体的方法
公开/公告号US6459610B1
专利类型
公开/公告日2002-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US19990494311
发明设计人 KIRK PRALL;
申请日1999-04-14
分类号G11C112/40;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:47:23