使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长

摘要

本发明涉及使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长。公开了一种使用晶体基板外延生长最终膜的方法，其中最终膜无法直接生长在晶体基板的表面上。该方法包括在晶体基板的上表面上形成过渡层。过渡层的晶格间距在过渡层的上表面与过渡层的下表面之间变化。过渡层的下表面处的晶格间距与晶体基板的晶格间距匹配在7％的第一晶格失配度内。过渡层的上表面处的晶格间距与最终膜的晶格间距匹配在7％的第二晶格失配度内。该方法还包括在过渡层的上表面上形成最终膜。