机译:使用低温生长技术在几乎晶格匹配的substrate衬底上外延生长GaN膜
机译:在晶格匹配的ScAlMgO4衬底上外延生长GaN膜
机译:通过化学气相沉积在晶格匹配的(100)β-LiGaO_2衬底上生长非极性m面GaN外延膜
机译:通过PLD和MOCVD的组合方法在Si衬底上产生的GaN外延膜的生长机制
机译:具有与GaN晶格匹配的合金成分的四元AlGaInN外延膜的生长和表征
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:勘误:“使用低温生长技术在近晶格匹配的铪基板上外延生长GaN薄膜”[apL mater。 4,076104(2016)]
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。