图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法

摘要

一种图形化光刻胶层的形成方法、晶圆级芯片封装方法，该封装方法在制作用来形成再布线的图形化光刻胶层中，先在基底上涂敷第一粘度的第一光刻胶层，所述第一粘度小于100cp，使得第一光刻胶层为低粘度光刻胶层，再在第一光刻胶层上涂敷第二粘度的第二光刻胶层，所述第二粘度大于第一粘度，然后再对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光、显影，由于低粘度光刻胶层的黏附性比高粘度光刻胶层的黏附性弱，因此，本发明中的图形化光刻胶层比现有图形化光刻胶层更容易被去除，使得位于通孔内的图形化光刻胶层不会有残留。