用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺

摘要

本发明公开了用于制作光分路器的二氧化硅光波导的生产工艺，包括如下步骤：波导下包层制作，采用火焰水解法或者化学气相淀积工艺，在硅片上生长一层SiO2，并且掺杂磷、硼离子作为波导下包层；波导芯层制作，作为波导芯层；波导下包层和波导芯层退火硬化处理，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀；光刻处理，将需要的波导图形用光刻胶保护；非波导区域处理，采用反应离子刻蚀工艺，将非波导区域刻蚀掉；波导上包层制作，惨杂硼、磷离子，作为波导上包层；波导上包层退火硬化处理，使上包层SiO2细致紧密。本发明通过上述原理，生产的二氧化硅光波导制成的光分路器内部残留应力小，双折射效应不明显，制成的光分路器机械性能和热稳定性好。