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一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法

摘要

本发明公开了一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法。该晶体生长炉系统包括套管、提拉装置和哑铃式生长安瓿;在加热元件的作用下使该晶体生长炉系统从上到下分低温区、梯度区和高温区三个温区。本发明的晶体生长方向与重力方向一致,对晶体中密度较大的杂质具有很好的排出效果,减少了杂质的聚集和沉淀,所生长晶体均匀性好,无杂质条纹。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B11/00 申请公布日:20150128 申请日:20140928

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20140928

    实质审查的生效

  • 2015-01-28

    公开

    公开

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