公开/公告号CN104313680A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心;
申请/专利号CN201410510474.0
申请日2014-09-28
分类号C30B11/00;
代理机构四川省成都市天策商标专利事务所;
代理人伍孝慈
地址 621000 四川省绵阳市科创园区园艺街20号
入库时间 2023-12-17 03:36:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-17
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B11/00 申请公布日:20150128 申请日:20140928
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20140928
实质审查的生效
2015-01-28
公开
公开
机译: 使用垂直梯度冷冻晶体生长炉用于半导体合成和晶体生长的设备,包括内部反应室,该反应室具有升华室和连接在混合室和阀上方的合成室
机译: 垂直式晶体生长方法和用于该方法的晶体生长容器
机译: 一种新的或改进的方法和设备,用于预热可旋转管式炉或窑中燃烧的材料