利用注入制造氮化镓P-I-N二极管的方法

摘要

一种第III族氮化物半导体器件，包括：用于支持在第III族氮化物半导体器件的正向偏置操作期间的电流流动的有源区。该有源区包括：具有第一导电类型的第一第III族氮化物外延材料和具有第二导电类型的第二第III族氮化物外延材料。第III族氮化物半导体器件还包括物理上相邻于有源区并且包括包含第一第III族氮化物外延材料的一部分的注入区的边缘终端区。第一第III族氮化物外延材料的注入区相对于第一第III族氮化物外延材料的相邻于注入区的部分具有降低的电导率。