法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09K13/00 申请公布日:20141203 申请日:20140819
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-12-31
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K13/00 申请日:20140819
实质审查的生效
2014-12-03
公开
公开
机译: In x sub> ga 1-x sub> p选择性腐蚀的砷化镓基外延场效应晶体管的停止刻蚀层及其工艺
机译: 一种半导体激光装置,其具有在压缩压力下的铟镓砷活性层,在膨胀压力下的砷化镓阻挡层和光波导入口
机译: 外延面膜富集砷化镓的半衰期呈现缓冲层和活性层。在单晶砷化镓亚大街上,镓镓-内酰胺去除外延的方法。