一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构及其制备方法

摘要

本发明的主要目的为提供一种低漏电低正向压降肖特基二极管及其制备方法，此方法采用结终端扩展技术保护终端，同时对肖特基主结势垒区进行中和调制，并且此两项的注入同时进行，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果，又工艺制程简单。本发明应用后可采用低电阻率的外延片来制造肖特基二极管，有效地降低了正向压降，既达到高压效果，并提高低漏电低压降效果。本发明可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。