机译:n-Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As上具有p / sup +/- Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As盖层的低暗电流准肖特基势垒MSM光电二极管结构
机译:使用In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As覆盖层和SiO / sub 2 /介电盖层通过无杂质空位扩散对In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / InP多量子阱结构进行带隙调谐
机译:分子束外延生长的InP基n-Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As肖特基势垒二极管的势垒高度增强
机译:具有原子层沉积ZrO_2栅氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As基金属氧化物半导体电容器证明了低栅漏电流和等效氧化物厚度小于1 nm
机译:用InGaAlAs数字合金制备1.55 / spl mu / m In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.53 /(Ga / sub 0.6 / Al / sub 0.4 /)/ sub 0.47 / As SCH MQW激光器使用介电覆盖层的生长后快速热退火
机译:与n-GaAs和n-In(0.53)Ga(0.47)As的欧姆接触:一种热力学方法。
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:使用通过分子束外延生长的完全耗尽的p + -Ga0.47In0.53As层在n-Ga0.47In0.53As上形成准肖特基势垒二极管