首页> 中国专利> 原子层沉积光刻技术

原子层沉积光刻技术

摘要

在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中,在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤:脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区,及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层。

著录项

  • 公开/公告号CN104115257A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201380009300.X

  • 发明设计人 B·吴;A·库玛;O·那拉玛苏;

    申请日2013-01-24

  • 分类号H01L21/027;H01L21/205;H01L21/3065;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄嵩泉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 01:59:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/027 申请公布日:20141022 申请日:20130124

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-03-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20130124

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号