包含具有应力产生材料层的晶体管的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及包含具有应力产生材料层的晶体管的半导体结构及其形成方法，公开一种半导体结构，其包括晶体管，该晶体管包括一个或多个伸长型半导体区，各该一个或多个伸长型半导体区包括信道区；栅极电极，其中，该栅极电极至少是在该一个或多个伸长型半导体区的每一个的两个相对侧所提供；以及应力产生材料层，该应力产生材料层提供可变应力，其中，该应力产生材料层经设置而至少在该一个或多个伸长型半导体区的每一个的信道区中提供应力，在该一个或多个伸长型半导体区的每一个的信道区中所提供的该应力是可变化的。