源极/漏极中带有底部SiGe层的FinFET

摘要

本发明涉及源极/漏极中带有底部SiGe层的FinFET，提供了一种FinFET包括：衬底；鳍结构，位于衬底上；源极，位于鳍结构中；漏极，位于鳍结构中；沟道，位于鳍结构中，在源极与漏极之间；栅极介电层，位于沟道上方；以及栅极，位于栅极介电层上方。源极和漏极中的至少一个包括底部SiGe层。