半导体装置结构及形成CMOS集成电路结构的方法

摘要

本发明涉及半导体装置结构及形成CMOS集成电路结构的方法，提供数种用于形成CMOS集成电路结构的方法，该等包含：进行第一植入制程用以对半导体基板的区域进行晕环植入与源极和漏极延伸部植入中的至少一者，然后在该半导体基板的另一区域中形成应力源区。此外，提供一种半导体装置结构，该结构包含邻近栅极电极结构而埋藏于半导体基板的应力源区，该埋藏应力源区有一表面与一接口在该表面的法线方向相差小于约8纳米，其中该接口形成于该栅极电极结构与该基板之间。