短沟道沟槽式金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种具有短沟道的沟槽式金属氧化物半导体场效应管，可以降低沟道电阻。其中，在体区下方的外延层中包括至少一个场释放区，其自对准于沟槽式源-体接触区，可以防止发生漏-源之间的穿通现象。