一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法

摘要

本发明公开了一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法，该方法是在MOS器件加工工艺中，在同一工艺环境中连续制备绝缘界面层和高介电常数栅介质层。利用本发明，不仅可以减少高k栅介质和界面层间由于环境污染引起的缺陷和电荷，而且还可以提高高k栅介质的质量。