法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20180211 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20160901 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20160901 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20160901 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20160901 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 申请日:20100126
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-09-05
授权
授权
2012-09-05
授权
授权
2010-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20100126
实质审查的生效
2010-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20100126
实质审查的生效
2010-10-13
公开
公开
2010-10-13
公开
公开
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机译: 用于多-多金属氧化物半导体电路的场效应晶体管,特别是用于欧姆源多触点的,具有沿着沟槽形成具有沿着沟槽的表面的衬底,该沟槽具有沟槽基极和沟槽边缘
机译: 具有单个掩模的预定义栅极和接触沟槽的高密度沟槽MOSFET
机译: 具有单个掩模预定义栅极和接触沟槽的高密度沟槽MOSFET