具有高K电介质和金属栅的非易失性存储器单元

摘要

一种非易失性存储器，包括第一导电类型的衬底，在其中形成的第二导电类型的第一和第二分隔开的区，在其间的沟道区。多晶硅金属栅字线被设置在沟道区的第一部分的上方并通过高K电介质层与其分隔开。字线的金属部分紧密地邻近于高K电介质层。多晶硅浮栅紧密地邻近于字线并与其分隔开，并且被设置在沟道区的另一部分的上方并与其绝缘。多晶硅耦合栅被设置在浮栅的上方并与其绝缘。多晶硅擦除栅被设置在浮栅的另一侧并与其绝缘，被设置在第二区的上方并与其绝缘，并且紧密地邻近于耦合栅的另一侧但与其分隔开。