机译:恒定电压应力下具有TaN金属栅电极的HfO_2高k栅电介质的电可靠性方面
Thin Film Nano and Microelectronics Research Laboratory, MS 3122, Texas A&M University, College Station, TX 77843-3122, USA;
机译:原子层沉积的TaC_y金属栅极:对HfO_2高k电介质的微观结构,电性能和功函数的影响
机译:高K氧化Ha栅极电介质的Pt和TaN金属栅电极的特性
机译:Tin / hfo_2金属栅/高k介电栅叠层在Si衬底中引起的拉伸应力起源
机译:高k HFO_2栅极电介质的电气和可靠性特性
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:频率和栅极电压对Al ∕ SiO2 ∕ p-Si金属-绝缘体-半导体肖特基二极管的介电性能和电导率的影响
机译:金属栅极高k电介质对SOI TRI-GATE FinFET晶体管电学特性的影响