一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法

摘要

本发明公开了一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法，通过采用110晶向底硅作为晶片结构的底硅，采用湿法腐蚀方式腐蚀底硅背腔形成凹槽，使得硅片内均匀性较好，底硅表面的划伤较小，根据110晶向底硅的晶向特点，腐蚀形成的凹槽一般为直口，横截面为矩形结构，避免出现腐蚀倾斜角度，使得凹槽的开口处的尺寸与底部的尺寸大小一致，不会造成晶片的面积增加等问题，从而降低了生产成本。