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一种从硅合金熔体中半连续结晶提纯硅的方法

摘要

本发明公开了一种从硅合金熔体中半连续结晶提纯硅的方法,将硅与Al或Al合金加热熔化形成Al-Si基合金熔体,将气冷旋转结晶杆插入熔体中使硅晶体从合金熔体中析出,而B,P等主要杂质留于合金熔体中,达到除杂效果。装置采用气体冷却插入熔体中的连续旋转的结晶杆,采用较高的冷却速度提高晶体生长速度,在硅合金熔体中实现半连续结晶生长。本发明具有能耗低,无污染,生产效率高,可以实现半连续生产,投资规模小,生产工艺和设备操作简单的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN103833038A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院等离子体物理研究所;

    申请/专利号CN201410084115.3

  • 申请日2014-03-08

  • 分类号C01B33/037;

  • 代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人余成俊

  • 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

  • 入库时间 2024-02-19 23:23:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B33/037 申请公布日:20140604 申请日:20140308

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-07-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/037 申请日:20140308

    实质审查的生效

  • 2014-06-04

    公开

    公开

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