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一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置

摘要

本发明公开了一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置,该方法是将硅与一种或几种低熔点金属加热熔融形成合金熔体,通过专用的水冷提拉装置使硅晶体从合金熔体中不断析出,而使大部分B、P及其他杂质留于合金熔体中,达到除杂的效果。该专用装置的特征是坩埚内的熔体液面由隔热挡板分割形成加料区和拉晶区,采用分区加热方式使加料区温度高于拉晶区。在加料区不断加入工业硅,使熔体中的硅含量维持在饱和状态,同时拉晶区温度维持在硅的析出温度,实现低温熔体中连续提纯拉晶工艺。本发明的特点:低能耗,无污染,生产效率高,可以实现连续生产,投资规模小,采用生产工艺简单,设备要求低。

著录项

  • 公开/公告号CN101798705A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海太阳能电池研究与发展中心;

    申请/专利号CN201010123657.9

  • 申请日2010-03-12

  • 分类号C30B15/20;C30B15/02;

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人郭英

  • 地址 201201 上海市浦东龙东大道6101号8栋1楼

  • 入库时间 2023-12-18 00:31:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B15/20 公开日:20100811 申请日:20100312

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/20 申请日:20100312

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

    公开

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