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半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法

摘要

半导体装置具有半导体晶片,其包括多个半导体管芯。在该半导体晶片上形成绝缘层。绝缘层的一部分通过LDA而去除来暴露半导体管芯的有源表面的一部分。在半导体管芯的有源表面上的接触盘上形成第一导电层。使半导体晶片单个化来将半导体管芯分开。半导体管芯设置在载体上,其中半导体管芯的有源表面偏离该载体。密封剂沉积在半导体管芯和载体上来覆盖半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分。互连结构在第一导电层上形成。备选地,MUF材料沉积在半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分上。

著录项

  • 公开/公告号CN103715108A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新科金朋有限公司;

    申请/专利号CN201310164479.8

  • 申请日2013-05-07

  • 分类号H01L21/56;H01L21/60;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人柯广华

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2024-02-19 22:57:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-05

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/56 申请公布日:20140409 申请日:20130507

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-10-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/56 申请日:20130507

    实质审查的生效

  • 2014-04-09

    公开

    公开

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