Case Western Reserve University.;
机译:使用金属-有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包括Al2O3栅氧化物和AlN钝化层的GaAs金属-氧化物-半导体结构的电性能
机译:在4H-SiC上用于金属绝缘体半导体的Al_2O_3薄膜的原子层沉积
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管应用原子层沉积制备的Hf_(1_x)Zr_xO_2栅电介质的特征值0≤x≤1
机译:金属 - 有机原子层互联技术应用的金属沉积
机译:从新的工艺到行业相关应用:金属,金属氧化物和金属碳化物薄膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:使用金属有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包含al2O3栅极氧化物和alN钝化层的Gaas金属氧化物半导体结构的电特性
机译:通过热和激光辅助金属有机化学气相沉积的III-V化合物半导体的原子层外延