法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-06
授权
授权
2014-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20131120
实质审查的生效
2014-02-12
公开
公开
机译: 一种锑合金和/或元素二元或三元半导体材料的单自种晶的制备和取向生长的方法
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译: 高质量Rat A层生长方法的选择,高质量Rat A层生长板和高质量Rat A层生长半导体器件