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藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复

摘要

本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间,诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中,并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线(UV)辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水,并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。

著录项

  • 公开/公告号CN103608898A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201280027958.9

  • 申请日2012-05-14

  • 分类号H01L21/205(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 22:44:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 申请公布日:20140226 申请日:20120514

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-02-26

    公开

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