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公开/公告号CN103608898A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201280027958.9
发明设计人 K·S·伊姆;T·诺瓦克;B·谢;A·T·迪莫斯;
申请日2012-05-14
分类号H01L21/205(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人陆嘉
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 22:44:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-02-18
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 申请公布日:20140226 申请日:20120514
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-02-26
公开
机译: 低介电常数薄膜的电介质回收已受到紫外线辅助光化学沉积的等离子体破坏
机译: 紫外线辅助光化学气相沉积,用于受损低介电常数薄膜的孔密封
机译: 紫外线辅助光化学沉积介电回收等离子体损伤的低k膜
机译:等离子体功率和沉积压力对等离子体增强化学气相沉积法沉积低介电常数等离子体聚合环己烷薄膜性能的影响
机译:沉积等离子体功率对六甲基二硅氧烷和3,3-二甲基-1-丁烯前体沉积的低介电常数等离子体聚合物薄膜性能的影响
机译:TES / 02前驱体低介电常数SiOC(-H)薄膜的等离子体增强化学气相沉积过程中的等离子体诊断
机译:用于微电子应用的低介电常数碳氟化合物的等离子体辅助沉积。
机译:介电势垒放电沉积的等离子体聚合a-C:H薄膜的光谱研究
机译:通过等离子体增强化学气相沉积制备1低和超低介电常数薄膜
机译:超临界二氧化碳萃取致孔剂制备超低介电常数薄膜