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用于恢复及封孔受损的低介电常数薄膜的紫外线辅助硅烷化

摘要

提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间,诸如,在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线(UV)辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。

著录项

  • 公开/公告号CN103430291A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201280012115.1

  • 申请日2012-04-04

  • 分类号H01L21/31;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 22:01:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/31 申请公布日:20131204 申请日:20120404

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-12-04

    公开

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