用于平板显示器的相移掩模坯件和光掩模

摘要

为了制造大面积平板显示器（FPD），使用包含至少两个膜的多层型的层或连续层来形成相移层，该膜含有金属和轻元素，例如氮（N）、氧（O）和碳（C）。该多层型的层或连续层是通过在透明衬底上堆叠具有不同组成和不同蚀刻速率的至少两个膜来形成。因此，该相移层的厚度可以减小，并且边缘部分的截面的斜坡可以在该相移层的图案化过程中陡峭地形成，使得相移层图案之间的边界可以是清晰的。结果是，可以确保该相移层的均匀性，因此可以制造出具有更精细图案的大面积FPD产品。

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于平板显示器（下文称为FPD）的相移掩模坯件和光 掩模，且更确切地说，本发明涉及一种用于FPD的掩模坯件和光掩模，其中 相移层图案的截面的斜坡可以陡峭地形成。

背景技术

在用于制造FPD装置或半导体大型集成（下文称为LSI）装置的平板印 刷工艺中，通常使用从掩模坯件制造成的光掩模来转印图案。

掩模坯件是通过以下步骤来获得：在由合成石英玻璃形成的透光衬底的 主表面上形成包含金属材料的薄膜，随后在所述薄膜上形成抗蚀层。光掩模 的形状是通过图案化掩模坯件中的薄膜而形成。此处，可以根据光学特性将 薄膜分为遮光层、抗反射层（ARL）、相移层、半透射层，以及反射层，并 且可以同时使用这些薄膜中的至少两者。

用于制造LSI装置的光掩模的一条边的尺寸通常为6英寸（或152mm）， 而用于制造FPD装置的光掩模的一条边的尺寸为300mm或更长，这比用于 制造LSI装置的光掩模一条边的尺寸相对更大。

近年来，像高度集成的LSI装置一样，在FPD装置中，随着集成密度的 增加导致设计规则的收缩，用于形成精细图案的光掩模的图案也需要精确地 按比例缩小。为了在FPD装置中形成更精细的图案，需要高的图案分辨率。 为此，采用了减小用于形成图案的光源的波长并且增加透镜的孔径的方法。 然而，当光源的波长减小并且透镜的孔径增加时，图案分辨率可能会增加， 但是由于低焦深（DOF）而导致了在获得实际图案分辨率方面有所限制。使 用相移层的相移光掩模已经被开发出来克服上述限制，与二元光掩模相比， 相移光掩模更能增加图案分辨率。

图1为示出了相移光掩模的光学特性的图，而图2为示出了二元光掩模 的分辨率与相移光掩模的分辨率之间的比较的图。参考图1，相移光掩模是 通过在透明衬底1上形成透射比为3%至10%的相移层2来进行配置的。透 射穿过相移层2的曝光与不透射穿过相移层2的曝光形成了180°的相位差， 使得分辨率可能由于相移层2之间的边界处的相消干涉而增加。并且，参考 图2，相移光掩模可以用比二元光掩模高的分辨率来曝光精细的图案。

如上所述，近来，用于制造FPD装置的光掩模的图案也需要按比例缩小。 由于FPD装置需要具有较大的屏幕和较高的分辨率，因此像素尺寸应被减 小。作为必然的结果，需要使图案微型化。然而，由于FPD装置是使用相等 放大倍率的曝光设备来制造的，因此要将FPD装置的图案线宽减小到LSI 装置的图案线宽那么窄，几乎是不可能的。用于制造FPD装置的光掩模是每 一条边为300mm或更长的大尺寸光掩模，并且具有各种尺寸。因此，不易 于开发出与用于制造FPD装置的光掩模的尺寸相符的缩减曝光设备。

近来，在使用相等放大倍率的曝光设备时为了提高用于制造FPD装置的 光掩模的分辨率，使用MoSi化合物或Cr化合物来形成单层型的相移层，该 化合物用于用以制造LSI装置的光掩模中，并且随后使用适于大面积层的湿 法蚀刻工艺来图案化所述相移层。然而，由于不易于对含有MoSi（它含有 适于干法蚀刻工艺的材料）的相移层进行湿法蚀刻，因此在图案化过程中会 出现问题。并且，在湿法蚀刻过程中，在含有Cr的相移层的被蚀刻表面中 形成了缓坡。也就是说，由于含有Cr的常规相移层形成为单层型，因此在 使用蚀刻剂进行图案化的过程中会发生各向同性蚀刻。结果是，在图案边缘 部分的被蚀刻表面中形成了缓坡。

在图案边缘部分中形成的斜坡在图案边缘部分与剩余部分之间引起了 相变差，并且影响相移层的均匀性。此外，图案边缘部分中的相移层斜坡导 致相移层之间的边界变得不清晰，从而妨碍了精细图案的形成。

发明内容

【技术问题】

本发明针对的是一种用于平板显示器（FPD）的相移掩模坯件和光掩模， 其中相移层的厚度可以被减小，并且边缘部分的截面的斜坡可以陡峭地形 成，从而使相移层图案之间的边界变得清晰。

本发明还针对一种用于FPD的相移掩模坯件和光掩模，它可以确保相移 层的均匀性并且能够制造具有更精细图案的大面积FPD产品。

【技术解决方案】

本发明的一个方面提供了一种用于平板显示器（FPD）的相移光掩模， 其包括设置在透明衬底上的相移层图案。该相移层图案具有至少两个膜相堆 叠的结构。

在相移层图案的边缘部分中上边缘与下边缘之间的尾部尺寸（tail size） 可以从0nm到100nm变动。

构成相移层图案的每个膜可以包括以下至少一种金属材料：铬（Cr）、 铝（Al）、钴（Co）、钨（W）、钼（Mo）、钒（V）、钯（Pd）、钛（Ti）、 铂（Pt）、锰（Mn）、铁（Fe）、镍（Ni）、镉（Cd）、锆（Zr）、镁（Mg）、 锂（Li）、硒（Se）、铜（Cu）、钇（Y）、硫（S）、铟（In）、锡（Sn）、 硼（B）、铍（Be）、钠（Na）、钽（Ta）、铪（Hf）、铌（Nb）和硅（Si）， 或者除了上述材料以外还进一步包括以下至少一种材料：氮（N）、氧（O） 和碳（C）。

构成相移层图案的各个膜可以由能够使用相同蚀刻剂来蚀刻的材料形 成并且具有不同的组成，并且相移层图案可以通过将具有不同组成的每个薄 膜堆叠至少一次来形成。

构成相移层图案的每个膜可以由以下一种膜形成：Cr膜、CrO膜、CrN 膜、CrC膜、CrON膜、CrCN膜、CrCO膜和CrCON膜。

相对于相同蚀刻剂而言，构成相移层图案的各个膜的蚀刻速率从透明衬 底向上逐渐减小。

构成相移层图案的各个膜可以经形成，使得相对于相同蚀刻剂而言，设 置在中央的膜的蚀刻速率低于在设置在中央的膜的上方和下方的膜。

相移层图案的厚度可以为至并且构成相移层图案的每个 膜的厚度可以为至

相移层图案与波长为200nm至600nm的曝光之间的相位差可以为160° 至200°，透射比可以为1%至30%，以及与波长为200nm至600的曝光之间 的透射比偏差可以为0%至10%。此处，透射比偏差可以通过将最大透射比 （百分比）减去最小透射比（百分比）来获得。

相移层图案与i线、h线以及g线中的每一个之间的相位差偏差为0°至 50°。此处，相位差偏差可以通过将最大相位角（°）减去最大相位角（°）来 获得。

相移层图案可以包括连续层或多层型的层，并且构成相移层图案的各个 膜形成单层或连续层。

所述光掩模可以进一步包括设置在相移层图案上方或下方的功能层图 案。

所述功能层图案可以包括以下至少一种图案：包含遮光层和抗反射层 （ARL）的遮光层图案、半透射层图案、蚀刻停止层图案以及硬掩模层图案。

当功能层图案为遮光层图案时，遮光层图案可以设置在透明衬底的边缘 的盲区中，或者设置在主区和盲区中。

遮光层图案可以包括以下至少一种金属材料：铬（Cr）、铝（Al）、钴 （Co）、钨（W）、钼（Mo）、钒（V）、钯（Pd）、钛（Ti）、铂（Pt）、 锰（Mn）、铁（Fe）、镍（Ni）、镉（Cd）、锆（Zr）、镁（Mg）、锂（Li）、 硒（Se）、铜（Cu）、钇（Y）、硫（S）、铟（In）、锡（Sn）、硼（B）、 铍（Be）、钠（Na）、钽（Ta）、铪（Hf）、铌（Nb）和硅（Si），或者除 了上述材料以外还进一步包括以下至少一种材料：氮（N）、氧（O）和碳 （C）。

遮光层图案可以具有与相移层图案相同的蚀刻性质，或者具有相对于相 移层图案而言的蚀刻选择性。

遮光层图案的厚度可以为至

本发明的另一方面提供一种用于FPD的相移掩模坯件，它用于制造根据 本发明的用于FPD的相移光掩模，该相移掩模坯件包含相移层，该相移层包 括堆叠在透明衬底上的至少两个膜。

【有利效果】

在本发明中，相移层是使用多层型的层或连续层来形成的，该多层型的 层或连续层具有组成不同且蚀刻速率不同的至少两个膜。

因此，相移层的厚度可以减小。此外，相移层图案边缘部分的截面的斜 坡可以在相移层的图案化过程中陡峭地形成，使得相移层图案之间的边界可 以是清晰的。因此，可以确保光掩模的相移层图案的均匀性，并且可以确保 制造出具有更精细图案的大面积FPD产品。

附图说明

图1为示出了相移光掩模的光学特性的图。

图2为示出了二元光掩模的分辨率与相移光掩模的分辨率之间的比较的 图。

图3为根据本发明的一个示例性实施例的相移掩模坯件的截面图。

图4为根据本发明的一个示例性实施例的相移掩模坯件的相移层的截面 图。

图5为根据本发明的一个示例性实施例的相移光掩模的截面图。

图6A和图6B为根据本发明的一个示例性实施例的相移掩模坯件的截面 图。

图7A至图7D为根据本发明的一个示例性实施例的相移光掩模的截面 图。

图8A至图8C为根据本发明的一个示例性实施例的相移掩模的相移层图 案边缘部分的图像。

图9为根据本发明的一个对比实例的相移光掩模的相移层图案边缘部分 的图像。

具体实施方式

在下文中，将详细描述本发明的示例性实施例。虽然将要参考本发明的 示例性实施例对本发明进行具体展示和描述，但所属领域的技术人员应理 解，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以 对形式和细节做出各种改变。示例性实施例应被理解为只是示例性和描述性 的，而不用于限制的目的。因此，本发明的范围不是由本发明的具体实施方 式来限定，而是由所附权利要求书来限定，并且在该范围内的所有差异应被 解释为包含在本发明中。

图3为根据本发明的一个示例性实施例的相移掩模坯件的截面图。

参考图3，根据本发明的一个示例性实施例的相移掩模坯件100为用于 平板显示器（FPD）的相移掩模坯件100，所述平板显示器包括液晶显示器 （LCD）、等离子显示板（PDP），以及有机发光二极管（OLED）。相移 掩模坯件100包括透明衬底102以及按顺序堆叠在透明衬底102上的相移层 104和抗蚀层108。

透明衬底102为四边形的透明衬底，它一条边的尺寸为300mm或更长。 透明衬底102可以为合成的石英玻璃、碱石灰玻璃衬底、不含碱的玻璃衬底， 或低热膨胀玻璃衬底。

参考图4，相移层104具有至少两个薄膜104a，……，和104n相堆叠的 结构。优选地，堆叠了两至六个薄膜。构成相移层104的至少两个薄膜形成 了连续层或多层型的层。此处，连续层指的是在溅射过程中，通过改变活性 气体、功率和压力等工艺参数，在等离子源打开的情况下形成的层。连续层 在深度方向上具有不同的组成。多层型的层指的是通过堆叠若干个单层而获 得的层，每个单层在深度方向上具有不变的组成。构成相移层104的薄膜 104a，……，和104n中的每一者具有单层或连续层。

构成相移层104的薄膜104a，……，和104n可以由例如包括以下至少 一种金属材料的化合物形成：铝（Al）、钴（Co）、钨（W）、钼（Mo）、 钒（V）、钯（Pd）、钛（Ti）、铂（Pt）、锰（Mn）、铁（Fe）、镍（Ni）、 镉（Cd）、锆（Zr）、镁（Mg）、锂（Li）、硒（Se）、铜（Cu）、钇（Y）、 硫（S）、铟（In）、锡（Sn）、硼（B）、铍（Be）、钠（Na）、钽（Ta）、 铪（Hf）、铌（Nb）和硅（Si）。并且，除了上述材料以外，构成相移层104 的薄膜104a，……，和104n还可以进一步包括以下至少一种材料：氮（N）、 氧（O）和碳（C）。构成相移层104的薄膜104a，……，和104n优选地由 铬（Cr）化合物形成，所述铬（Cr）化合物为以下一种膜：Cr膜、CrO膜、 CrN膜、CrC膜、CrON膜、CrCN膜、CrCO膜和CrCON膜。构成相移层 104的薄膜104a，……，和104n可以使用一种气体作为活性气体借助于溅 射工艺来形成，所述气体含有氮（N）、氧（O）和碳（C），例如氮气（N₂）、 二氧化碳（CO₂）、甲烷（CH₄）、一氧化氮（NO）、氧气（O₂），或一氧 化二氮（N₂O）。

构成相移层104的各个薄膜104a，……，和104n可以由具有不同组成 并且能够使用相同蚀刻剂一起蚀刻的材料形成。由于各个薄膜104a，……， 和104n具有不同的组成，因此，各个薄膜104a，……，和104n具有不同的 蚀刻速率。相移层104是通过将具有不同组成的各个薄膜104a，……，和 104n堆叠至少一次而形成。

由于构成相移层104的薄膜104a，……，和104n根据其厚度、蚀刻性 质、蚀刻材料以及组成而具有不同的蚀刻速率，因此要在考虑到上述参数的 情况下对薄膜104a，……，和104n进行设置，使得相移层图案边缘部分的 截面的斜坡可以在图案化过程中陡峭地形成。

构成相移层104的薄膜104a，……，和104n优选地经配置使得从朝向 透明衬底102设置的下层薄膜104a到最上层薄膜104n，蚀刻速率逐渐变小。 然而，考虑到粘合到较上层以及蚀刻性质，朝向透明衬底102设置的下层薄 膜104a的蚀刻速率不是薄膜104a，……，和104n中最小的。构成相移层104 的薄膜104a，……，和104n中的每一个的蚀刻速率可以通过改变薄膜 104a，……，和104n中含有的金属材料的含量以及氮（N）、氧（O）和碳 （C）的含量来进行控制。例如，当薄膜104a，……，和104n中含有的氮和 氧的含量增加时，薄膜104a，……，和104n的蚀刻速率可以增加。当碳的 含量增加时，薄膜104a，……，和104n的蚀刻速率可以减小。此外，相移 层104的薄膜104a，……，和104n可以经配置使得设置在中央的薄膜的蚀 刻速率低于在设置在中央的薄膜的上方和下方的薄膜的蚀刻速率。

相移层104的厚度为至考虑到粘合到对应层上方和下方 所设置的膜以及蚀刻性质，构成相移层104的薄膜104a，……，和104n中 每一个的厚度可以为至由于根据本发明的相移层104是通过 堆叠多个薄膜104a，……，和104而形成的，因此可以控制相移层104的折 射率，使得相移层104可以形成比使用单层形成的相移层更小的厚度。

因此，根据本发明的相移层104的厚度可以减小。并且，相移层104的 图案边缘部分的截面的斜坡可以陡峭地形成，使得相移层104的图案之间的 边界在图案化相移层104以形成光掩模的过程中可以为清晰的。因此，可以 形成更精细的图案。在这种情况下，参考图5，它示出了根据本发明的光掩 模的相移层图案104p，相移层图案104p的边缘部分中的上边缘与下边缘之 间的水平距离（或尾部尺寸d）为100nm或更小，并且优选地，为60nm或 更小。

相移层104与波长为200nm至600nm的曝光之间的相位差为160°至 200°。此处，相位差指的是透射穿过相移层104的曝光与透射穿过透明衬底 102的曝光之间的相位差。相移层104与i线、h线以及g线之间的相位差偏 差优选为50°或更小，且更优选为20°或更小。相移层104与i线、h线以及 g线之间的透射比偏差具有为10%或更小。并且，相移层104与波长为200nm 至600nm的曝光之间的透射比为1%至30%，且优选为1%至15%。

根据本发明的相移掩模坯件200可以进一步包括设置在相移层104上方 或下方的功能层106。在这种情况下，功能层106包括至少一个层，包含遮 光层、半透射层、蚀刻停止层以及硬掩模层，这些层需用于转印图案。例如， 当功能层106包括遮光层时，遮光层106可以包含具有遮光功能和抗反射功 能的单层或者包含具有相同配置和组成或不同配置的遮光层和抗反射层。当 功能层106进一步包含蚀刻停止层时，蚀刻停止层可以在考虑到透明衬底与 相移层之间的蚀刻选择性、相移层与遮光层之间的蚀刻选择性，以及遮光层 与透明衬底之间的蚀刻选择性的情况下形成。

图6A和图6B为根据本发明的示例性实施例的相移掩模坯件的截面图。

参考图6A和图6B，根据本发明的示例性实施例的相移掩模坯件200可 以为顶部型或底部型。

下文中，功能层106将被称为遮光层106。遮光层106可以由以下至少 一种金属材料形成：铬（Cr）、铝（Al）、钴（Co）、钨（W）、钼（Mo）、 钒（V）、钯（Pd）、钛（Ti）、铂（Pt）、锰（Mn）、铁（Fe）、镍（Ni）、 镉（Cd）、锆（Zr）、镁（Mg）、锂（Li）、硒（Se）、铜（Cu）、钇（Y）、 硫（S）、铟（In）、锡（Sn）、硼（B）、铍（Be）、钠（Na）、钽（Ta）、 铪（Hf）、铌（Nb）和硅（Si）。或者，除了上述材料以外，遮光层106还 可以进一步包括以下至少一种材料：氮（N）、氧（O）和碳（C）。

遮光层106可以由使用与相移层104相同的蚀刻剂来蚀刻的材料形成， 或者遮光层106经形成以相对于相移层104而言具有蚀刻选择性。可以使用 干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺来对遮光层106和相移层104进行图案化并移 除，并且可以将各种常规上已知的材料用作蚀刻材料。

遮光层106的厚度优选为至更优选地，遮光层106的厚 度为800或更小。更具体而言，遮光层106的厚度为或更小，这满 足遮光层106与相移层104重叠的部分所需的光密度（OD）要求，并且这 在图案化过程中是不成问题的。

透明衬底102和相移层104与图3中的上述相移掩模坯件具有相同的配 置。

遮光层106和相移层104可以使用化学气相沉积（CVD）工艺或物理气 相沉积（PVD）工艺来形成。确切地说，在本发明中，优选地通过将电压施 加给腔室中的含金属靶材，使用溅射工艺来形成遮光层106和相移层104， 其中所述腔室中注入了惰性气体和活性气体。

此外，相移光掩模可以使用根据本发明的上述掩模坯件来形成。

图7A至图7D为根据本发明的示例性实施例的相移光掩模的截面图。

参考图7A，根据本发明的示例性实施例的相移光掩模300具有一种结 构，其中只有相移层图案104p形成于主区和盲区上，所述主区对应于设有 透明衬底102的主图案的区域，而所述盲区对应于设有包含对准标记的辅助 图案的区域。光掩模300的制造方法可以是：在透明衬底102上按顺序地形 成相移层和抗蚀层；图案化所述抗蚀层，以形成抗蚀图案；以及将抗蚀图案 用作蚀刻掩模来对相移层进行蚀刻，以形成相移层图案104p。

参考图7B和图7C，根据本发明的示例性实施例的相移光掩模300具有 一种结构，其中遮光层图案106P形成于透明衬底102的盲区中，并且相移 层图案104p设置在遮光层图案106P与主区之间的边界部分上。在这种情况 下，在遮光层图案106P的形成过程中，盲区的遮光层图案106P可以经形成 以具有辅助图案，例如对准标记，并且相移层图案104p设置在遮光层图案 106P之间的边界部分上，使得相移光掩模300的分辨率可以提高。

参考图7B，现将描述用于制造光掩模300的方法。在透明衬底102上形 成遮光层和抗蚀层之后，对抗蚀层进行图案化以形成抗蚀层图案，并且将抗 蚀层图案用作蚀刻掩模来对遮光层进行蚀刻，以形成遮光层图案106P。此后， 在包含遮光层图案106P的透明衬底102上形成相移层，在相移层上形成抗 蚀层图案，并且对相移层进行蚀刻以形成相移层图案104p。

此外，参考图7C，现将描述制造光掩模300的方法。在透明衬底102 上按顺序地形成遮光层、相移层和抗蚀层之后，对抗蚀层进行图案化以形成 抗蚀图案，并且将抗蚀图案用作蚀刻掩模来对遮光层和相移层进行蚀刻，以 在盲区中形成遮光层图案106P。此后，形成抗蚀层图案以使相移层曝光，并 且对相移层的曝光部分进行蚀刻以形成相移层图案104p。

参考图7D，根据本发明的示例性实施例的相移光掩模300具有轮缘型 结构，其中遮光层图案106P形成于透明衬底102的主区和盲区中，并且设 有相移层图案104p以围绕遮光层图案106P与设置在主区中的部分遮光层图 案106P之间的边界部分。

实施例

相移层的形成

为了评估根据本发明的示例性实施例的相移掩模坯件，在透明衬底上形 成多层型相移层。

具体而言，将铬（Cr）靶材用作溅射靶材借助于溅射工艺来形成相移层。 在这种情况下，溅射工艺是使用以下至少一种气体来进行：氩气（Ar）、氮 气（N₂）、二氧化碳（CO₂）、甲烷（CH₄），以及一氧化氮（NO），并且 将相移层形成为CrCON层，厚度约为

[表1]

[相移层的形成]

表1示出了根据本发明的示例性实施例和其对比实例的相移层的配置。

具体而言，在本发明的实施例1至3中，氩气（Ar）被用作惰性气体， 并且选择性地使用氮气（N₂）、甲烷（CH₄）和一氧化氮（NO）中的至少两 种气体来形成具有三至六个膜的相移层。在这种情况下，构成相移层的薄膜 经形成和设置以具有相同的组成或不同的组成。本发明的实施例1至3和对 比实例1均满足透射比和相位角方面所要求的条件。

在实施例1和3中，构成相移层的薄膜经形成以相对于相同的蚀刻剂而 言，越朝向下面的透明衬底，具有的蚀刻速率越大。在实施例2中，设置在 中央的薄膜的蚀刻速率低于在设置在中央的薄膜的上方和下方的薄膜的蚀 刻速率。

在对比实例1中，使用CrCON单层来形成相移层。

根据实施例1、2和3的相移层的评估

在相移层上形成抗蚀层，并且执行曝光工艺和显影工艺，以形成抗蚀层 图案。

此外，在将抗蚀层图案用作蚀刻掩模并且使用典型的铬蚀刻剂来对下面 的被曝光相移层进行蚀刻之后，将抗蚀层图案移除，并且对相移层进行评估。

图8A至图8C为根据本发明的示例性实施例的相移光掩模的相移层图案 边缘部分的图像。

图8A为根据本发明的实施例1的图像，它是在对相移层图案化之后捕 获的，所述相移层经形成以相对于相同的蚀刻剂而言，越朝向下面的透明衬 底，具有的蚀刻速率越大。参考图8A，可以看到，相移层图案边缘部分的 截面的斜坡是通过增加构成相移层的上层薄膜的蚀刻速率而陡峭地形成。在 这种情况下，在相移层图案中的上边缘与下边缘之间的尾部尺寸约为60nm。 因此，可以确认，相移层图案边缘部分的斜坡得以改善。

图8B为根据本发明的实施例2的图像，它是在对相移层图案化之后捕 获的，所述相移层经形成使得设置在中央的薄膜的蚀刻速率低于在设置在中 央的薄膜的上方和下方的薄膜的蚀刻速率。参考图8B，可以看到，相移层图 案边缘的截面的斜坡是通过增加最上层薄膜的蚀刻速率而得到改善。在这种 情况下，可以确认，在相移层图案中的上边缘与下边缘之间的尾部尺寸约为 100nm。

图8C为根据本发明的实施例3的图像，它是在对相移层图案化之后捕 获的，所述相移层经形成使得上层薄膜具有大的蚀刻速率。参考图8C，可以 看到，相移层图案边缘部分的截面的斜坡得以改善。在这种情况下，可以确 认，在相移层图案中的上边缘与下边缘之间的尾部尺寸为90nm。

根据对比实例的相移层的评估

图9示出了根据对比实例1的相移光掩模的相移层图案。在对比实例1 中，相移层是使用CrCON单层来形成的。参考图9，可以看到，由于相移层 被各向同性地蚀刻，因此相移层图案边缘部分的截面的斜坡平缓地形成并且 相移层图案之间的边界是不清晰的。在这种情况下，可以确认，在相移层图 案中的上边缘与下边缘之间的尾部尺寸约为150nm。

如上所述，在本发明中，用于制造大面积FPD装置的相移层是使用具有 组成不同且蚀刻速率不同的至少两个膜的多层型的层或连续层来形成。

因此，相移层的厚度可以减小。此外，边缘部分的截面的斜坡可以在相 移层的图案化过程中陡峭地形成，使得相移层图案之间的边界可以是清晰 的。因此，可以确保相移层的均匀性，并且可以制造出具有更精细图案的大 面积FPD产品。

尽管已经结合本发明的示例性实施例描述了本发明，但是本发明的范围 不限于上文的本发明的具体实施方式。所属领域的一般技术人员将理解，在 不脱离本发明的精神和范围的情况下，能够进行各种变化和修改。因此，本 发明的范围不是由本发明的具体实施方式来限定，而是由所附权利要求书来 限定，并且在该范围内的所有差异应被解释为包含在本发明中。