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GaN基脊型激光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先,通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层,然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次,通过背向曝光技术实现第二次光刻,挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光,实现光刻图形。最后,根据负性光敏性热固化涂层胶的性质,通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-30

    授权

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  • 2014-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/343 申请日:20131210

    实质审查的生效

  • 2014-03-05

    公开

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