一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法

摘要

本发明公开了一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法。该测试装置包括：电阻，所述电阻连接在所述测试装置的输入端和输出端之间；以及二极管，所述二极管的正极用于与偏压源连接，所述二极管的负极连接至所述测试装置的所述输出端，其中，所述测试装置的所述输入端用于接收测试信号，且所述测试装置的所述输出端用于连接待测试的NMOS晶体管的栅极。本发明提供的NMOS晶体管的测试装置能够在PBTI测试过程中连续地、自动地对待测试的NMOS晶体管施加应力，进而可以有效地解决PBTI测试中的恢复效应问题。此外，本发明提供的NMOS晶体管的测试装置很容易被操作，并且基本不需要额外的硬件，因此成本较低。