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硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置

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摘要

本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/324 申请公布日:20131211 申请日:20120405

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-12-11

公开

公开

1. 硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置 [P] . 中国专利： CN103443910A . 2013-12-11
2. 一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法 [P] . 中国专利： CN113380639A . 2021-09-10
3. Surface Treatment Method for Atomically Flattening a Silicon Wafer and Heat Treatment Apparatus [P] . 美国专利： US2016276171A1 . 2016-09-22

机译：硅晶片原子平坦化的表面处理方法及热处理装置
4. Atomic order of the silicon wafer flattening the surface treatment method and heat treatment equipment [P] . 日本专利： JPWO2013150636A1 . 2015-12-14

机译：硅晶片的原子序平坦化表面处理方法及热处理设备
5. Surface treatment method for atomically flattening a silicon wafer and heat treatment apparatus [P] . 美国专利： US9157681B2 . 2015-10-13

机译：用于原子平坦化硅晶片的表面处理方法和热处理装置